Pengujian MOSFET

Hubungkan 'Sumber' dari MOSFET negatif meteran (-) memimpin.

1) Pegang MOSFET oleh kasus atau tab tapi jangan sentuh bagian logam dari probe uji dengan terminal lainnya MOSFET sampai dibutuhkan. JANGAN biarkan MOSFET untuk datang dalam kontak dengan pakaian Anda, plastik atau plastik produk, dll karena tegangan statis tinggi dapat menghasilkan.

2) Pertama, menyentuh memimpin positif meteran ke MOSFET 'Gate'.

3) Sekarang pindahkan probe positve ke 'Tiriskan'. Anda harus mendapatkan membaca 'rendah'. Kapasitansi internal MOSFET di pintu gerbang kini telah dibebankan oleh meter dan perangkat 'berubah-on'.

4) Dengan meteran positif masih terhubung ke saluran pembuangan, menyentuh jari antara sumber dan gerbang (dan menguras jika Anda suka, tidak peduli pada tahap ini). Pintu gerbang akan dibuang melalui jari Anda dan pembacaan meter harus pergi tinggi, menunjukkan perangkat non-konduktif.

Apa tes di atas sebenarnya tidak sedang menguji cut-off tegangan, yang pada dasarnya adalah tegangan tertinggi menempatkan di pintu gerbang tanpa membuatnya melakukan. Seperti tes sederhana tidak 100% - tapi berguna dan biasanya memadai.

Ketika MOSFET gagal mereka sering pergi sirkuit pendek drain-to-gate. Ini dapat menempatkan tegangan drain kembali ke pintu gerbang di mana ofcourse feed (melalui resistor gerbang) ke dalam sirkuit drive, prossibly meniup bagian tersebut. Hal ini juga akan mendapatkan untuk setiap gerbang MOSFET disejajarkan lainnya, meniup mereka juga.
Jadi, jika MOSFET sudah meninggal, periksa driver juga! Fakta ini mungkin adalah alasan terbaik untuk menambahkan sumber-pintu zener diode; zeners gagal sirkuit pendek dan zener terhubung dengan benar dapat membatasi kerusakan pada kegagalan! Anda juga dapat menambahkan miniatur gerbang resistor - yang cenderung gagal sirkuit terbuka (seperti sekering) di bawah kelebihan ini, melepaskan gerbang tak berguna MOSFET.
Sekarat MOSFET sering memancarkan api atau blow-out, bahkan lebih dalam hobi dibangun proyek elektronik. Apa itu artinya bahwa unit rusak biasanya dapat terlihat secara visual. Mereka menunjukkan lubang dibakar atau 'sesuatu hitam' di suatu tempat. Saya telah melihat mereka banyak terutama di up ini yang dapat memiliki sebanyak 8 atau lebih MOSFET secara paralel. Saya selalu mengganti semua dari mereka jika pasangan cacat plus driver.

PERNAH menggunakan salah satu tangan memegang solder-pengisap (Anda tahu, orang-orang dengan sebuah pendorong) untuk desolder MOSFET HEX. Mereka menciptakan cukup Electro Static Discharge untuk menghancurkan mosfet. Metode terbaik adalah dengan menggunakan solder-sumbu atau profesional stasiun pematrian aman 'ESD'.

Berikut adalah aplikasi beberapa HEXFET menggunakan IRF511.

Gambar. 1 dikonfigurasi sebagai Kelas-A sederhana Audio Amplifier. Dengan nol bias gerbang diterapkan, Q1 adalah seperti saklar dalam keadaan off, sehingga tidak ada arus mengalir melalui resistor beban R2. Idealnya berbicara, tegangan Q1 dan resistor beban harus sama untuk kelas-A operasi. Sebuah potensiometer 100K (R3) dan 1-megaohm tetap resistor (R1) maker sebuah adjustable rangkaian gerbang bias sederhana. Plase voltmeter antara Drain (D) dari Q1 dan sirkuit tanah, dan menyesuaikan R3 untuk membaca meter dari setengah tegangan listrik.
Hampir setiap nilai resistor dapat digunakan untuk R2 selama peringkat maksimum saat ini dan kekuatan FET tidak terlampaui. Nilai resistor antara 22 dan 100 ohm adalah pilihan yang baik untuk bereksperimen. Pada arus tinggi, heat sink yang cocok harus digunakan.

Gambar. 2 memiliki setup kekuasaan FET sebagai Relay-Controller. Dengan nol-gerbang bias diterapkan, Q1 bertindak lilke saklar terbuka, tapi ketika tegangan DC lebih besar dari 5 volt diterapkan ke input dari rangkaian, Q1 menyala, menyelesaikan sirkuit relay dan therby mengaktifkan kumparan relay.
Input bias saat diperlukan untuk mengaktifkan Q1 dan mengoperasikan relay kurang dari 10 UA (microamps), yaitu sekitar 1 / 1.000.000 dari saat ini diperlukan untuk bias kekuatan 2N3055 transistor populer untuk mengoperasikan relay sama.
R1 melindungi apa pun yang mengemudi MOSFET dan filter terhadap transien sangat singkat - bersama-sama dengan (terutama) kapasitansi gatet. MOSFET tidak membutuhkan perlindungan (selama itu tidak pernah melihat lebih dari 12V), sebagai gerbang terisolasi. Untuk lebih cepat switching, menggunakan 100 ohm daripada 100K.
R2 hanya diperlukan jika sirkuit mengemudi itu tidak kembali ke tanah - untuk memastikan itu mati. Untuk kali cepat OFF, gunakan serendah impedansi sebagai sirkuit mengemudi dengan aman dapat menangani.
Jika didorong dari (lemah) gerbang CMOS dari seri 4K (misalnya 4093) sebagai Vdd dari 12V, Anda bisa menggunakan 1K (atau bahkan lebih rendah) untuk R1 - dan meninggalkan R2 sebagai output gerbang pergi ke tanah pula.

Gambar. 3 ditampilkan sebagai biasa pijar Lampu Flasher menggunakan dua IRF511 HexFets yang dikonfigurasi sebagai multivibrator astabil sederhana untuk bergantian mengganti dua lampu, LA1 dan La2, dan mematikan. R & C nilai yang diberikan mengatur tingkat flash ke sekitar 1/3 Hz. Dengan memvariasikan baik resistor atau nilai kapasitor hampir semua tingkat flash dapat obtainded. Meningkatkan baik C1 dan C2, atau R1 dan R2, dan flash tingkat melambat. Menurunkan mereka dan tingkat meningkat.
Tidak seperti kebanyakan perangkat semikonduktor, kekuatan MOSFET dapat disejajarkan, tanpa komponen saat pembagian khusus, untuk mengontrol arus beban yang lebih besar. Itu bisa menjadi fitur penting bila perangkat digunakan untuk menghidupkan lampu pijar, karena tahan dingin lampu ini jauh lebih rendah dari perlawanan operasi normal.
Sebuah khas # 1815 12 untuk langkah-langkah lampu 14-volt 6 ohm dingin. Ketika 12 volt diterapkan, saat awal ditarik adalah 2 amp. Lampu yang sama, ketika beroperasi pada 12 volt, hanya membutuhkan sekitar 200mA. Perlawanan panas angka keluar menjadi sepuluh kali tahan dingin nya, atau 60 ohm. Berita gembira yang harus dipertimbangkan ketika memilih perangkat semikonduktor untuk mengontrol lampu pijar.

Gambar. 4 adalah Beralih Kedekatan. Desain ini mengambil keuntungan dari impedansi input ultra-tinggi dan penanganan daya kemampuan IRF511 untuk membuat sederhana, tetapi sensitif, sensor jarak dan alarm sirkuit driver.
Sepotong 3x3 inci dari papan sirkuit (atau benda logam ukuran yang sama), yang berfungsi sebagai sensor pick-up, terhubung ke gerbang Q1. Sebuah 100 megaohm resistor, R2, isolat gerbang Q1 dari R1, yang memungkinkan impedansi input tetap sangat tinggi. Jika sebuah resistor 100-megaohm tidak dapat ditemukan, hanya mengikat 5 22-megaohm resistor di seri dan menggunakan kombinasi untuk R2. Bahkan, R2 dapat dibuat lebih tinggi nilai untuk sensitivitas tambah.
Potensiometer R1 disesuaikan ke titik di mana bel piezo hanya mulai terdengar off dan kemudian dengan hati-hati mundur ke titik di mana suara berhenti. Bereksperimen dengan pengaturan R1 akan membantu dalam obtainin penyesuaian sensitivitas terbaik untuk sirkuit. Potensiometer R1 mungkin diatur ke titik di mana pick-up harus dihubungi untuk mengatur dari sounder alarm. Sebuah relay atau komponen saat haus lain dapat mengambil tempat dari sounder piezo untuk mengontrol hampir semua sirkuit eksternal.